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本发明涉及一种芯片集成电感Q值改善电路。本发明包括磁能量补偿单元和有源负载补偿单元。所述磁能量补偿单元为交叉耦合差分对，包括第一初级电感、第二初级电感、第一次级电感、第二次级电感；以及在初级电感和次级电感中间加入的磁性增强材料；所述有源负载补偿单元为交叉耦合差分对，形成负跨导产生单元，所述的负跨导产生单元用于降低初级电感的寄生电阻，提高初级电感的Q值。本发明中的次级电感的能量通过磁耦合到初级电感中，可补偿第初级电感由于寄生电阻损失的能量，以提高初级电感的Q值，同时通过加入磁性增强材料，提高了磁能
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112532194 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202011391692.9 (22)申请日 2020.12.01 (71)申请人 浙江集速合芯科技有限公司
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