一种异质衬底半导体薄膜器件对准方法.pdfVIP

下载本文档

2
0
约9.45千字
约 9页
2023-06-01 发布于四川
举报
版权申诉

一种异质衬底半导体薄膜器件对准方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种异质衬底半导体薄膜器件对准方法，步骤依次为：在目标衬底正面完成器件电路的制备，以及对准标记A阵列和对准标记B阵列的制备；将待转移半导体薄膜剥离转移到目标衬底晶圆正面；在转移至目标衬底上的半导体薄膜上，通过曝光暴露出至少两个对准标记A；通过掩膜版与对准标记A进行对准曝光，暴露出对准标记B阵列；利用对准标记B阵列，通过标准微电子加工工艺在转移后的半导体薄膜正面进行器件流片以及半导体薄膜与目标衬底器件结构的异质互联。本发明解决了异质衬底集成不透明半导体薄膜材料的高精度对准问题，为后续基

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112542413 B (45)授权公告日 2021.09.28 (21)申请号 202011413182.7 (51)Int.Cl.