半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-01 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括第一区和第二区；在所述待刻蚀层上形成若干相互分立的第一牺牲层，若干所述第一牺牲层之间具有若干开口，所述若干开口中包括位于第一区上的第一开口；在所述第一牺牲层侧壁形成初始侧墙结构，所述初始侧墙结构包括第一侧墙，所述第一侧墙填充满所述第一开口；以所述第一侧墙为对准标记，在所述待刻蚀层上和初始侧墙结构上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出部分待刻蚀层和部分初始侧墙结构。所形成的半导体结构性能得到了提升。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112542385 A (43)申请公布日 2021.03.23 (21)申请号 20191