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2023-06-01 发布于四川
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半导体器件.pdf

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可以提供一种半导体器件，其包括：位于衬底中的阱区；位于所述阱区中的杂质区；位于所述杂质区上的第一有源鳍；位于所述阱区上的第二有源鳍；以及穿透所述第二有源鳍并且连接到所述阱区的连接图案。所述衬底和所述杂质区包括具有第一导电类型的杂质。所述阱区包括具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的杂质。所述第一有源鳍包括：在垂直于所述衬底的顶表面的方向上彼此间隔开的多个第一半导体图案。所述第一半导体图案和所述杂质区包括具有所述第一导电类型的杂质。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112542454 A (43)申请公布日 2021.03.23 (21)申请号 202010731905.1 (22)申请日 2020.07.27 (30)优先权数据 10-2019-0