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GaN基HEMT器件的制备方法.pdfVIP

GaN基HEMT器件的制备方法.pdf

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    本发明提供一种GaN基HEMT器件的制备方法，可以将自支撑GaN单晶衬底上同质外延的高质量AlGaN/GaN结构转移至支撑衬底，在简单处理去除表面的残留层后，生长源、漏、栅电极即可获得高性能的GaN基HEMT器件；自支撑GaN单晶衬底没有损耗，可以回收循环利用，从而大大降低成本；根据不同支撑衬底的材料特点，可实现GaN基HEMT器件与支撑衬底的异质集成，发挥GaN基HEMT器件的不同优势，以提升GaN基HEMT器件的性能，使得GaN基HEMT器件在高频率、高功率状态下可长时间稳定工作；可应用于制

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112530803 B (45)授权公告日 2022.05.17 (21)申请号 202011410376.1 H01L 21/762 (2006.01)

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