一种MoS2纳米花-Ag掺杂多孔BiVO4的光催化降解材料的制法.pdfVIP

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2023-05-31 发布于四川
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一种MoS2纳米花-Ag掺杂多孔BiVO4的光催化降解材料的制法.pdf

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本发明涉及光催化降解技术领域，且公开了一种MoS2纳米花‑Ag掺杂多孔BiVO4的光催化降解材料，Ag掺杂后的能隙小于纯相BiVO4的能隙，提高了可见光吸收从而提高BiVO4材料的光催化性能和光电性能，MoS2是典型的过渡金属层状化合物，是一种典型的半导体，花球状MoS2由于特殊的形貌有大的比表面积，在一定程度上突破了单层状的量子限域效应，其能带结构与BiVO4相匹配，将两者复合，形成异质结结构，通过异质结载流子传输机制，可加速光生电子‑空穴对的分离，避免了光生载流子的复合和重组，从而提高光催化

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112495399 A (43)申请公布日 2021.03.16 (21)申请号 202011514881.0 (22)申请日 2020.