电荷平衡沟槽超势垒整流器及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-31 发布于四川
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电荷平衡沟槽超势垒整流器及其制造方法.pdf

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本发明涉及电荷平衡沟槽超势垒整流器及其制造方法，所述整流器包括第一掺杂类型重参杂衬底和其上方的第一掺杂类型轻掺杂外延层；第一掺杂类型轻掺杂外延层内侧为第一沟槽填充物，第一沟槽填充物上方为第二掺杂类型阱区、第一掺杂类型离子注入重参杂区和第二掺杂类型注入区离子注入重参杂区；第一掺杂类型轻掺杂外延层中为第二沟槽侧壁的栅氧化物和第二沟槽的填充物。本发明的整流器通过沟槽结构，消除传统平面SBR器件的JFET区电阻；引入了电荷平衡结构漂移区，提高了SBR器件耐压漂移区的掺杂浓度，进一步降低了SBR的通态电阻

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112510079 A (43)申请公布日 2021.03.16 (21)申请号 202011361521.1 (22)申请日 2020.11.27 (71)申请人龙腾半导体股份有限公司