一种高速率半导体激光器及其封装结构和方法.pdfVIP

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2023-05-31 发布于四川
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一种高速率半导体激光器及其封装结构和方法.pdf

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本发明涉及一种高速率半导体激光器及其封装结构和方法，该高速率半导体激光器封装结构包括半导体激光器和热沉，所述热沉上设有P型过渡电极，所述半导体激光器倒装在热沉上，半导体激光器的P型电极朝下，并通过焊料与热沉上对应的P型过渡电极焊接，热沉上的P型过渡电极与管座上对应的封装引脚电连接，本发明的有源区条宽为1‑5um，P面电极很窄，大大提高了速率，所述半导体激光器的P面无需设置金丝引线焊盘，能达到提高散热并降低寄生电容的效果，从而提升激光器速率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112510482 B (45)授权公告日 2021.12.14 (21)申请号 202011358393.5 H01S 5/024 (2006.01)