一种简化硅基Micro OLED微显示器件阳极及像素定义层制备方法.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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一种简化硅基Micro OLED微显示器件阳极及像素定义层制备方法.pdf

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本发明提供了一种简化硅基MicroOLED微显示器件阳极及像素定义层制备方法，工艺为CVD成膜、黄光图形化定义、干法刻蚀、PVD成膜、去胶清洗，与现有技术相比，原阳极及像素定义层制备方法共8道工序，本发明简化为5道工艺，先进行像素定义层挖孔，再进行孔内填充阳极工艺，避免了对阳极及像素定义层的过刻及角度的严格控制。另一方面，可提高阳极厚度，利于器件调试，而且，能够有效的降低工艺难度，提高阳极及像素定义层的良率，降低生产成本。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112436040 A (43)申请公布日 2021.03.02 (21)申请号 202011320779.7 (22)申请日 2020.11.23 (71)申请人安徽