一种套刻精度检测方法及半导体结构.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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一种套刻精度检测方法及半导体结构.pdf

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本发明提供一种套刻精度检测方法及半导体结构，包括：提供衬底，衬底上形成有堆叠层，堆叠层中形成有沟道孔标记，沟道孔标记中形成有介质层，堆叠层上形成有覆盖层；在覆盖层中形成沟槽，沟槽暴露沟道孔标记；在沟道孔标记之间形成栅线标记，栅线标记和沟道孔标记用于检测栅线和沟道孔的套刻精度。这样，在沟道孔标记之间形成栅线标记，由于沟道孔标记中形成有介质层，介质层能够对堆叠层起支撑作用，从而避免在去除堆叠结构中的牺牲层后，栅线标记周围的区域存在坍塌的风险，从而能够通过栅线标记和沟道孔标记直接实现栅线和沟道孔的套刻

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112435936 B (45)授权公告日 2022.03.15 (21)申请号 202011320856.9 H01L 27/11582 (2017.01)