一种锗硅-硅通孔结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-30 发布于四川
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一种锗硅-硅通孔结构及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种锗硅‑硅通孔结构及其制备方法，所述TSV结构包括：复合衬底结构，所述复合衬底结构内部设置有上下导通的通孔结构，所述复合衬底结构包括衬底层，所述衬底层顶部设置有多个复合层，所述复合层包括锗硅材料层和硅材料层；沟槽结构；电感结构，所述电感结构设置在所述沟槽结构内壁和所述通孔结构内壁，且所述电感结构将所述沟槽结构内部完全填充；铜互连结构；其中，所述电感结构上分别设置有第一顶部接触层和第一底部接触层，所述铜互连结构上下两端分别连接有第二顶部接触层和第二底部接触层，本发明制备得到的TSV结

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112466839 B (45)授权公告日 2022.08.02 (21)申请号 202011327436.3 H01L 23/528 (2006.01)