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2023-05-29 发布于四川
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实施方式提供能够减小导通电阻的半导体装置。半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第1绝缘部、第2电极、栅极电极、第2绝缘部以及第3电极。第2电极设置在第1绝缘部中，具有在第2方向上与第1半导体区域对置的部分。栅极电极设置在第1绝缘部中，在第2方向上隔着栅极绝缘层而与第2半导体区域对置，与第2电极电分离。第2绝缘部与第1绝缘部相连。第2绝缘部的第1方向上的长度比第1半导体区域与第2电极之间的第1绝缘部的厚度长。第2绝缘部的第2方

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112420832 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 20201