用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面钝化结构及其器件.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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用于Ⅲ-Ⅴ族氮化物器件的表面钝化结构及其器件.pdf

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本发明公开了一种用于Ⅲ‑Ⅴ族氮化物器件的表面钝化结构及其器件，包括位于Ⅲ‑Ⅴ族氮化物基底上的Al1‑xScxN层和AlySc2‑yO3层，Al1‑xScxN层和AlySc2‑yO3层由下至上依次层叠设置，其中，Al1‑xScxN层的厚度为0.5~10nm，0＜x≤1；AlySc2‑yO3层的厚度为1~20nm，0≤y＜2，Al1‑xScxN层的厚度≤AlySc2‑yO3层的厚度。本发明可以进一步降低界面态的产生，降低器件出现电流崩塌的风险，提高器件可靠性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112420813 B (45)授权公告日 2022.08.02 (21)申请号 202011302202.3 H01L 21/02 (2006.