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本发明涉及一种半导体器件的制作方法,包括以下步骤:提供半导体结构,半导体结构包括衬底,衬底包括交替分布的第一区域和第二区域,其中衬底的极性为第一类型;对衬底进行离子注入;在衬底上形成由栅极层和介电层交替堆叠的第一堆叠结构;以及形成贯穿第一堆叠结构的多个第一沟道孔和多个第二沟道孔;其中,离子注入使第一区域的极性为第二类型,且第二区域的极性为第一类型或第三类型;多个第一沟道孔位于第一区域的上方,且第二沟道孔位于第二区域的上方,第一类型、第二类型和第三类型不同。该制作方法提高了半导体器件的可靠性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112259545 B (45)授权公告日 2021.09.10 (21)申请号 202011124400.5 H01L 27/1157 (2017.01)
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