半导体器件制备方法及半导体器件.pdfVIP

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2023-05-26 发布于四川
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半导体器件制备方法及半导体器件.pdf

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本申请涉及一种半导体器件制备方法及半导体器件。所述半导体器件制备方法包括如下步骤：提供衬底，并在所述衬底的表面生长第一包覆层；在所述第一包覆层远离所述衬底的表面生长第一限制异质结层；在所述第一限制异质结层远离所述第一包覆层的表面生长有源层；在所述有源层远离所述第一限制异质结层的表面生长第二限制异质结层；其中，沿所述第一包覆层至所述第二限制异质结层方向上，所述第一限制异质结层的禁带宽度逐渐变小，所述第二限制异质结层的禁带宽度逐渐变大。在第一限制异质结层与第二限制异质结层之间形成了禁带宽度梯度差，可

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112271209 B (45)授权公告日 2021.08.13 (21)申请号 202011461968.6 H01L 21/82 (2006.01) (22)申请日