用于生长半导体薄膜的低温型衬底加热台及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-26 发布于四川
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用于生长半导体薄膜的低温型衬底加热台及其制作方法.pdf

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本发明公开了一种用于生长半导体薄膜的低温型衬底加热台及其制造方法，该衬底加热台的结构包括加热部分、水冷部分、热电偶和掩膜板。加热部分位于加热台下部四周，可插红外灯管，实现对衬底的直接加热；水冷部分位于加热台内部腔体，腔体内部设有三个水路挡板用于实现内部水流的“S”型走位，提高水流的速度，提高对衬底的散热效率；热电偶位于加热台的中部，其底部与加热台底部平齐，可实现对衬底的精确测温；掩膜板位于加热台的下部，与加热台是两个独立的部件，可通过加热台下部的螺纹洞，用螺丝将掩膜板栓在加热台上，使衬底背部与加

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112289711 A (43)申请公布日 2021.01.29 (21)申请号 202011145437.6 (22)申请日 2020.10.23 (71)申请人西北工业大学地址