一种铁电场效应晶体管存储器及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-26 发布于四川
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一种铁电场效应晶体管存储器及其制备方法.pdf

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一种铁电场效应晶体管存储器及其制备方法，铁电场效应晶体管存储器包括：衬底；晶体管栅极结构，晶体管栅极结构设于衬底的表面，包括自下而上依次层叠设置的绝缘层、铁电层和栅电极层；衬底上形成有源极和漏极，且晶体管栅极结构位于源极和漏极之间；源极、栅电极层和漏极上分别连接有金属引线。通过铁电场效应晶体管中的硅化物栅电极对氧化铪基薄膜铁电相的诱导，以提高铁电性，且硅化物栅电极和氧化铪基薄膜能够形成良好的界面从而降低界面缺陷。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112259552 A (43)申请公布日 2021.01.22 (21)申请号 202011124823.7 (22)申请日 2020.10.20 (71)申请人湘潭