高电子迁移率晶体管及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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高电子迁移率晶体管及其制作方法.pdf

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本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含一第一III‑V族化合物层，一第二III‑V族化合物层设置于第一III‑V族化合物层上，第二III‑V族化合物层的组成与第一III‑V族化合物层不同，一源极电极以及一漏极电极设置于第二III‑V族化合物层之上，一栅极电极设置于源极电极与漏极电极之间的第二III‑V族化合物层上，一绝缘层位于漏极电极和栅极电极之间，覆盖并接触第二III‑V族化合物层，至少一个电极设置在绝缘层上并且接触绝缘层，其中电极外接一电压。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112242444 A (43)申请公布日 2021.01.19 (21)申请号 20191