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本发明涉及一种KH2PO4晶体{101}晶面产生清晰位错蚀坑的方法，属于晶体表征技术领域。切割得到KDP晶面样品，对样品正反面进行抛光备用。配置74％～76％含水量的水‑乙醇混合溶液作为晶体腐蚀液，室温下将晶体样品置于该腐蚀液中并保持10～20s，取出后使用该腐蚀液对晶体表面抛光2～4s，抛光机转速设置在120～200r/min，将晶体表面的溶液擦拭干净并烘干，在光学显微镜和3D激光共聚焦显微镜下观察处理好的晶体表面，得到清晰的位错蚀坑照片。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112213173 A (43)申请公布日 2021.01.12 (21)申请号 202011045463.1 (22)申请日 2020.09.29 (71)申请人 山东大学 地址 25
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