DBR激光器及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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DBR激光器及其制作方法.pdf

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本申请提供了一种DBR激光器的制作方法，应用于半导体技术领域，采用带胶剥离低温生长的二氧化硅的工艺方法，制备具有不同光栅耦合系数的DBR激光器，不同光栅耦合系数的反射谱可以实现强DL效应的同时，减少往返增益的稀释效应，克服传统DBR激光器因对接无源材料而导致的微分增益降低。同时，采用光敏型聚酰亚胺，聚酰亚胺层上下均有二氧化硅介质层并仅在P型电极Pad下保留聚酰亚胺，提高Pad电极金属粘附性，减少器件RC效应。采用光敏型聚酰亚胺省略了制备过程中的ICP干法刻蚀工艺，简化工艺同时保证了器件具有良好的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883912 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210618461.X (22)申请日 2022.05.31 (71)申请人中国科学院半导体研究所地址 10