一种精确测量InP基激光器顶层厚度的方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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一种精确测量InP基激光器顶层厚度的方法.pdf

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本发明提出了一种精确测量InP基激光器顶层厚度的方法，用以解决测量外延生长膜层厚度的误差较大的技术问题，包括以下步骤：将外延生长后的InP基晶圆使用光刻手段在晶圆表面涂胶并显影，使晶圆表面出现图形；利用低温ICPCVD技术在显影后的晶圆表面生长氧化硅掩膜，制备得到生长有氧化硅掩膜的晶圆；将晶圆浸泡在正胶剥离液中，得到胶膜剥离的晶圆；利用湿法腐蚀工艺对胶膜剥离的晶圆表面进行腐蚀；再次利用湿法腐蚀工艺对腐蚀后的晶圆表面进行腐蚀；腐蚀后的晶圆使用探针扫描式测量工具进行测量。本发明通过表面刻蚀的方法，能

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114777695 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202210397678.2 (22)申请日 2022.04.15 (71)申请人河南仕佳光子科技股份有限公司地址