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本发明涉及一种基于两步退火的无金欧姆接触的射频器件及其制备方法,包括布置于衬底上的第一半导体叠层,其包含氮化物沟道层;同层布置于第一半导体叠层上的源电极、第二半导体叠层和漏电极,第二半导体叠层包括布置于氮化物沟道层上的插入层和布置于插入层上的氮化物势垒层;以及布置于氮化物势垒层上的栅极;源电极和漏电极包括依次层叠的接触层、覆盖层、阻挡层和帽层,接触层由低功函数金属M子层和金属Al子层循环层叠组成,其第一子层和最末子层为金属M。其降低了退火合金温度,改善了导通电阻高的问题,提升了器件的截止频率和最
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114784104 A
(43)申请公布日 2022.07.22
(21)申请号 202210377092.X
(22)申请日 2022.04.12
(71)申请人 华南师范大学
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