一种发光二极管外延片及其制作方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约2.99万字
约 15页
2023-05-16 发布于四川
举报
版权申诉

一种发光二极管外延片及其制作方法.pdf

1、本文档共15页，其中可免费阅读14页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供一种发光二极管外延片及其制作方法，所述发光二极管外延片包括：衬底、以及在衬底上依次层叠的低温成核层、未掺杂的u‑GaN层、插入层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型电子阻挡层和P型GaN层；插入层包括在未掺杂的u‑GaN层上依次层叠的第一子层、第二子层及第三子层，第一子层为低温高压生长的MgxN层，第二子层包括周期性交替层叠的高压生长的GaN层和低压生长的AlyGa1‑yN层，第三子层为高温低压生长的AlzGa1‑zN层。本发明解决了现有外延片缺陷多及表面平整度下降的问题。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114759123 A (43)申请公布日 2022.07.15 (21)申请号 202210516056.7 (22)申请日 2022.05.12 (71)申请人江西兆驰半导体有限公司地址 33