半导体结构及其制备方法、三维存储器.pdfVIP

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2023-05-14 发布于四川
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半导体结构及其制备方法、三维存储器.pdf

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本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决半导体结构导电性能较差的问题。半导体结构的制备方法，包括：在衬底的一侧形成电介质堆叠结构，所述电介质堆叠结构包括交替叠置的栅极绝缘层和栅极牺牲层。形成贯穿所述电介质堆叠结构的沟道孔。在所述沟道孔内填充牺牲材料。去除所述栅极牺牲层并形成栅极层，以得到包括交替叠置的栅极绝缘层和栅极层的存储堆叠结构。去除所述牺牲材料，暴露所述沟道孔。在所述沟道孔内形成电介质层。在所述沟道孔内形成沟道结构。上述半导体

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114678376 A (43)申请公布日 2022.06.28 (21)申请号 202210302865.8 (22)申请日 2022.03.25 (71)申请人长江存储科技有限责任公司地址 4