用于高功率密度应用的功率转换器.pdfVIP

下载本文档

1
0
约1.2万字
约 17页
2023-05-13 发布于四川
举报
版权申诉

用于高功率密度应用的功率转换器.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种功率半导体封装包括一个引线框架、一个半导体芯片和一个模制封装。所述引线框架包括升高的部分，所述升高的部分包括源极部分；排水部分；以及多个引线。半导体芯片包括布置在引线框架上的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。半导体芯片包括源极电极、漏极电极和栅极电极。半导体芯片的源极电极与引线框的升高部分的源极部分电连接和机械连接。半导体芯片用作低端场效应晶体管，作为通过第一热界面材料连接到散热器的翻转芯片。高端场效应晶体管通过第二热界面材料连接到散热器。低端场效应晶体管和高端场效应晶体管安装在

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116053222 A (43)申请公布日 2023.05.02 (21)申请号 202211282597.4 H05K 1/18 (2006.01) (22)申请日 2022.10.1