一种超薄芯片等离子切割工艺.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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一种超薄芯片等离子切割工艺.pdf

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本发明公开了一种超薄芯片等离子切割工艺，涉及芯片切割技术领域；包括如下步骤：将晶圆进行光刻，涂胶、曝光、显影；保留电路区域的光阻，去除切割上方的光阻；涂覆临时键合胶，胶体充分填充切割道空隙；粘贴背面研磨胶带；对晶圆进行减薄处理，并将减薄后的晶圆贴附到带有切割膜的铁圈上；激光解胶，将临时键合胶去除粘性，去除背面研磨胶带后进行清洗，清洗干净切割道缝隙里面的胶体；将减薄的晶圆去除切割道区域的硅层和光阻，达到DIE与DIE切割分离的效果。通过增加临时键合工艺，利用临时键合胶填充切割道缝隙，保证研磨胶带贴

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116053126 A (43)申请公布日 2023.05.02 (21)申请号 202310063270.6 (22)申请日 2023.01.16 (71)申请人合肥沛顿存储科技有限公司地址