半导体结构及其制造方法.pdfVIP

下载本文档

2
0
约4.7万字
约 49页
2023-05-10 发布于北京
举报
版权申诉

半导体结构及其制造方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本公开阐述了一种半导体结构及其制造方法，其中，该半导体结构具有设置在半导体晶圆的晶圆活性面上的绝缘层，用于覆盖所述晶圆活性面。绝缘层在一些实施例中可以是保护层，而在其他实施例中可以是覆盖层。绝缘层具有通孔开口以暴露接触垫以引出电气连接。具体地，通过多步蚀刻工艺(例如两步蚀刻工艺)形成通孔开口而不损坏接触垫。两步蚀刻工艺包括第一激光蚀刻工艺，使用普通脉冲(P)和普通能量(E)在所述覆盖层中形成通孔半开口；以及第二蚀刻工艺，使用低P和低E的激光蚀刻工艺或等离子蚀刻工艺。第二蚀刻工艺避免损坏所述接触垫

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114512457 A (43)申请公布日 2022.05.17 (21)申请号 202111358508.5 (22)申请日 2021.11.16 (30)优先权数据 63/114,536 2020