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提供了一种半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括:基底,包括限定在第一方向上延伸并且包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的有源图案的器件隔离图案;字线,在与第一方向相交的第二方向上延伸;位线,位于字线上并且电连接到第一源极/漏极区,并且在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸;位线间隔件,位于位线的侧壁上;存储节点接触件,电连接到第二源极/漏极区,并且跨位线间隔件与位线间隔开;以及介电图案,位于位线间隔件与存储节点接触件之间。位线间隔件包括覆盖位线的侧壁的第一间隔件和位于介电图案与第一间隔
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114512164 A (43)申请公布日 2022.05.17 (21)申请号 202111209532.2 (22)申请日 2021.10.18 (30)优先权数据 10-2020-0152715
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