一种改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种改善晶圆翘曲的SGT器件及其制作方法.pdf

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本发明提供了一种改善晶圆翘曲的SGT器件及制作方法，该器件的源区包括若干元胞区，所述元胞区内沟槽为条形沟槽，相邻的元胞区内所述沟槽方向互相垂直。该制作方法包括：提供外延层，在所述外延层上形成若干元胞区，两两相邻所述元胞区的沟槽组方向互相垂直；所述沟槽组内的形成进一步形成栅结构；在所述栅结构两侧的所述外延层中，分别形成源极和漏极。本发明通过将元胞区内方向一致的条形沟槽设计更改为方向互相垂直的几个分区，平衡应力方向，降低对晶圆热处理及减薄后的翘曲度，保证后续工序的生产作业。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334823 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111660471.1 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人上海晶岳电子有限公司