存储器结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种存储器结构及其形成方法，其中存储器结构包括：衬底；位于所述衬底上的两个相互分立的浮栅结构，两个所述浮栅结构之间具有第一开口，所述浮栅结构包括第一浮栅部、以及位于所述第一浮栅部上的第二浮栅部，所述第一开口暴露出所述第一浮栅部的侧壁和所述第二浮栅部的侧壁，且所述第一浮栅部的侧壁相对于所述第二浮栅部的侧壁凹陷；位于每个所述浮栅结构上的控制栅结构，两个所述控制栅结构之间具有第二开口；位于所述第一开口和所述第二开口内的字线结构。由于所述第二浮栅部相对于所述第一浮栅部是错位堆叠，使得后续形成的字线结构在

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114361167 A (43)申请公布日 2022.04.15 (21)申请号 202210006252.X (22)申请日 2022.01.04 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司