一种带有p-SnO栅帽层的新型金刚石基垂直GaN-HEMT器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种带有p-SnO栅帽层的新型金刚石基垂直GaN-HEMT器件及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种带有p‑SnO栅帽层的新型金刚石基垂直GaN‑HEMT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该器件包括自下而上依次排布的Si‑Ir‑SrTiO3复合衬底、高质量金刚石单晶外延层、AlN/GaN超晶格层、N+‑GaN基底层、N‑GaN层、P‑GaN电流阻挡层，GaN/AlGaN异质结、p‑SnO栅帽层等结构，本发明将超结进行梯度掺杂并和高K介质的间隔排布能更有效的实现了调制电场，通过引入p‑SnO栅帽层使之变为常关型的E‑mode器件，金刚石结构衬底的引入大幅增强了器件的散热能力，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114361121 A (43)申请公布日 2022.04.15 (21)申请号 202111656549.2 H01L 29/51 (2006.01)