积极发展化合物半导体工作计划.docxVIP

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2023-04-07 发布于中国
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积极发展化合物半导体工作计划.docx

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积极发展化合物半导体工作计划积极发展化合物半导体提升砷化镓、磷化铟等第二代化合物半导体材料制造能力、产能和化合物半导体芯片生产线良品率，发展激光器芯片、光电器件等产品。研发氮化镓、碳化硅等宽禁带半导体材料，推动功率半导体生产企业开发大功率碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管、高速高功率氮化镓射频器件等产品。开展碳基纳米材料、锑化镓、铟化砷等超宽禁带半导体材料研究。引导举措（一）科技创新方面 1、地球深部等基础性交叉领域超前部署，突破关键、共性技术，支撑今后的研究。 2、财税政策引导，激励企业增加研发投入，建立由骨干企业牵头、科研机构和高校共同参与的先进平台，依托优势企业，统筹技术开发。