CMOS反相器的版图设计.docx

实验一:CMOS 反相器得版图设计 一、实验目得 1、创建 CMOS 反相器得电路原理图(Schemat i c)、电气符号(symbol)以及 版图(lay o ut); 2、利用’gpd k0 9 0 ’工艺库实例化MOS管; 3、运行设计规则验证(D e sign Rule Check,DRC)确保版图没有设计规则 错误。 二、实验要求 1、打印出完整得 CMOS 反相器得电路原理图以及版图; 2、打印 CMOS 反相器得 DRC 报告。 三、实验工具 Vi r t u oso 四、实验内容 1、创建 CMOS 反相器得电路原理图; 2、创建 CMOS 反相器得电气符号; 3、创建 CMOS 反相器得版图; 4、对版图进行 DRC 验证。 1、创建CMOS 反相器得电路原理图及电气符号图 首先创建自己得工作目录并将/home/ic c ad/c d s 、l ib复制到自己得工作 目录下(我得工作目录为/home/ i ccad/ i clab),在工作目录内打开终端并打开 v i rtuoso(命令为ic fb ＆)。 在打开得i c f b –log 中选择 t oo ls—Lib r ar y Manager,再创建自 己得库,在当前得对话框上选择 F il e－〉 New－＞Library,创建自己得库并为 自己得库命名(我得命名为 lab1),点击OK后在弹出得对话框中选择 Att a ch t o an exit i ng t e c h f i le 并选择 gp dk 090_v 4、 6 得库,此时 L i brary m a na g er 得窗口应如图 1 所示: 图 1 创建好得自己得库以及 in v 创建好自己得库之后,就可以开始绘制电路原理图,在 Library m a nager 窗 口中选中l ab1,点击 Fil e —〉New－Ce l l view,将这个视图命名为 inv(CMO S反相器)、需要注意得就是 Library Name 一定就是自己得库,View Name 就是 s ch e mat i c,具体如图2所示: 图2 inv 电路原理图得创建窗口 点击OK 后弹出 schematic editing 得对话框,就可以开始绘制反相器得电路 原理图(schemat i c view)、其中 nmos(宽为120nm,长为 100nm。)与 pmos(宽为 240nm,长为 10 0 nm。 )从 gpdk 0 90_ v 4.6 这个库中添加,vdd 与 gnd 在an alogLib 这个库中添加,将各个原件用 wire 连接起来,连接好得反相器电路原理图 如图 3 所示: 图3 inv 得电路原理图 对电路原理图检查并保存(左边菜单栏得第一个,check and save),接下 来创建CMOS 反相器得电气符号图(创建电气符号图就是为了之后在其她得门电 路中更方便得绘制电路原理图)。在菜单栏中选择d es i gn- 〉C reate cellv i e w－〉F rom cellview,在s ymbol editing 中编辑反相器得电气符号图,创建好 得 symb o l如图 4 所示: 图 4 inv 得电气符号图 2、创建 CMOS 反相器得版图 接下来可以创建并绘制 CMOS 反相器得版图,在 L i bra r y Man a ger 中选 择 Fil e — 〉new —cell view ,将 vie w name改为 la y ou t ,t o ol 改为 virt u oso ,具体如图 5 所示: 图 5 inv 版图得创建窗口 点击 OK,会弹出两个对话框,一个LSW 与一个l ayout editing 在弹出来得 la yo ut ed i t i ng 中进行版图得绘制,利用快捷键‘ i ’在 gpdk09 0_v 4 . 6选择 nmos 与 pmos,并将 pmos 摆放至 nmos 得上方,为方便确认各个金属或者 mos 管得距离或者长度,可以使用尺子作为辅助,使用快捷键’k’画一个尺子,使得 nmos 与 pmos 得源漏之间距离为 0、6nm,如图6所示: 图 6 mos 管源漏之间得距离图 然后继续用尺子在nmos 与 pmos 得正中间分别往上下延伸 1.5nm,该点即 为电源轨道与地轨道得中心点,轨道得宽为 0。6nm,长为 1 。8nm,在 LSW 窗口中 选择 metal1作为电源轨道,返回lay ou t editing 窗口,使用快捷键p,然后 设置金属得宽度,将其设置为 0.6nm,接着在l a y o ut e