快速散热型半导体MOS场效应管.pdfVIP

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2023-02-14 发布于四川
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快速散热型半导体MOS场效应管.pdf

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本实用新型公开一种快速散热型半导体MOS场效应管，其陶瓷导热本体一表面开有第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽，此第一条形凹槽、第二条形凹槽和第三凹槽内分别填充有第一导电条、第二导电条和导电块；MOSFET芯片上具有源极区、漏极区和栅极区，所述MOSFET芯片安装于陶瓷导热本体上，此源极区、漏极区和栅极区分别与第一导电条、导电块一端和第二导电条电连接；陶瓷导热本体具有一从环氧封装体端面延伸出的散热板，位于环氧封装体内的陶瓷导热本体具有至少一个通孔。本实用新型降低了功率MOS的热阻，从而有利于进一

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212517182 U (45)授权公告日 2021.02.09 (21)申请号 202021730400.5 (22)申请日 2020.08.18 (73)专利权人苏