193nm浸液式光刻技术现状.docx

193nm 浸液式光刻技术现状孔德生 童志义 〔中国电子科技集团公司第四十五争辩所，北京东燕郊 101601〕 1 引言 30 多年来，作为集成电路制造主流曝光技术的光学投影光刻技术，始终以摩尔定律的不断向前推动而孜孜不懈地努力着。依据瑞利衍射定理 R=k1λ/NA，通过曝光波长的不断缩小和数值孔径的不断增大以及各种区分率增加技术的不断探究，将 K1 因子逐步降低，现已迎来了 65nm 半导体制造量产时代。在 45nm 器 件的生产中，可选择的光刻方法有 k1 为 0.30 的大数值孔径 ArF 干法光刻和 k1 为 0.35 的大数值孔径 A rF 浸液式光刻。前者的技术路线主要是基于对光学