模拟电路考试题及答案.pdfVIP

9．晶体三极管的反向电流是由〔 B 〕运动形成的。 自测题一 A ．多数载流子 B ．少数载流子 一、判断题 C ．扩散 D ．少数载流子和多数载流子共同 1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。〔 F 〕 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V 和 6.7V，那么此三 2 ．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。〔T 〕 极管是〔 D 〕。〔发正偏集反偏〕 3 ．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。〔F 〕 A ．PNP 型硅管 B ．PNP 型锗管 C ．NPN 型锗管 D ．NPN 型 二、单项选择题 硅管 1．半导体中的少数载流子产生的原因是〔 D 〕。 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的〔 B 〕。 A．外电场 B．内电场 C．掺杂 D．热激发 A ．非饱和区 B ．饱和区 C ．截止区 D ．击穿区 2 ．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为 〔 C 〕。 12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g 与源极 s 之间电压为零时〔 B 〕。 A ．正、反向电阻相等 B ．正向电阻大，反向电阻小 A．能够形成导电沟道 B．不能形成导电沟道 C ．反向电阻比正向电阻大很多倍 D ．正、反向电阻都等于无穷大 C．漏极电流不为零 D．漏极电压为零 3．二极管的伏安特性曲线的正向局部在环境温度升高时将〔 B 〕。(X轴为电压) 三、填空题 A ．右移 B ．左移 C ．上移 D ．下移 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 。 4 ．当外加偏置电压不变时，假设工作温度升高，二极管的正向导通电流将〔 A 〕。 2 ．少数载流子在内电场力作用下有规那么的运动称为 漂移 。 A ．增大 B ．减小 C ．不变 D ．不确定 3．PN 结正偏导通，反偏截止，称为PN 结的 单向导电性 性能。 4 ．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 变窄 。 5．三极管β值是反映〔 B 〕能力的参数。〔 三极管可改为电流控制电流源〕 A ．电压控制电压 B ．电流控制电流 C ．电压控制电流 D ．电流控制 5 ．PN 结正向偏置时，PN 结的内电场被 削弱 。 电压 6 ．三极管最重要的特性是 电流放大作用 。  7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将 增大 。 6．温度升高时，三极管的 值将