IGBT的设计与仿真(张斌)PPT课件.ppt

IGBT的设计与仿真;主要内容;1.研究内容简介;元胞结构;2.设计指标;3.研究设计方案;4.工艺流程设计;5.主要工艺指标;表2 主要工艺步骤与工艺条件列表：;6.器件仿真; 根据北工大陆秀洪硕士论文的结果： （1）背面三重扩散的残留层厚度越薄、IGBT的功耗就越小； （2）表面掺杂浓度越低，IGBT的功耗就越小； （3）背扩散层的残留层厚度对于IGBT的功耗的影响比背扩散层的表面掺杂浓度要大的多。 选取背面残留层厚度为20um，表面浓度1E16。 使用高斯方程和扩散长度计算公式算得其扩散长度为：9.76um 背面注入使用常数掺杂模拟其结深为：0.4um，浓度为1E17。 ;7.主要器件指标仿真结果;;工作电流计算 单个元胞的工作电流 约为2.5E-5 A 要达到工作电流10A，需 要40000个元胞的阵列， 也即200×200，这样元胞 阵列的面积为8mm*8mm。;导通电阻计算： 由于ISE-TCAD中的 DESSIS只能仿真单 个元胞，从单个元胞 的斜率可以算出， 其单个元胞的电阻为 40000Ω，则对于整 个元胞阵列来说，其 导通电阻约为1Ω。;8.结论及说明;thank you！