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低介电高频覆铜板及半固化片基材研制与开发 低介电高频覆铜板,半固化片的研制 维普资讯 第 1 6卷第 2期2 01年 6月 0 安 徽 机 电 学 院 学 报 V0 l 1 6. No.2 J L n 10 h 1 I si t f Me h n c l E e ti a n i e r g。【 a fAn 1 n t u e o c a i a r i t lcr lE gn e i c n Jm., 2 01 t 0 文章编号： 0 7―5 4 (0 1 0 10 2 0 2 0 )2―0 4 0 1―0 5 低介电高频覆铜板及半固化片基材研制与开发金世伟，王晓明，黄德元王，司 .徽芜湖 2 1 0;芜湖裕中集团染织分厂 .安 4 0 04安徽芜湖 2 10 ) 4 0 0摘要：着信息化科学技术的发展 .适应数字化产品对高频特性的技术要求 . C L基础材料行随为对 C业提出更高的技术要求如何科学合理地选用、伍改性 P B基板材料具有低、 tn占性 .且配 C低 a井 斌 ( .安徽机电学院科技处 .徽芜湖 2 1 0￣安徽华茂集团 .徽安庆 2 6 0 3安徽汽车零部件公 1安 -002 4安 4 0 0; 使和 n占在空气中受温度、度影响又小，压覆铜板又具有良好的电气性能和机械性能 .本湿层是课题着重讨论和研究的主要问题 . 关键词：介电；质损耗；性；合基纺织材料；脂}频高速低介改复树高 中国分类号：M2 5 9 T 1 2 文献标识码： A 引 言高频高速覆铜板 ( o p rCa a n ts简称 C L及半固化片 ( ep r)础材料的研究 C p e ld L miae, C ) P reg基 与开发是我们开展纺织品风格功能研究项目中纺织品电学性质的子项目 .九五”期间我国“C L产品在技术水平上与国外尚有较大的差距，制约了其市场的发展 .如据报道复合基的 C C M一3的产量在日本甚至已超过 F E R一4,在大陆地区产量尚未突破 2 00 0I2挠性板尚但 0 0 1, I未突破 5 00 0,属基板尚未超过 50 0,它高技术、性能板，际上只处于小批试 0 0 金 0其高实制阶段 . 由于以计算机为代表的微处理器和存储器 L I出输入信号的变化频率，目前已普遍提 S输高到 1 0 MH 0 z以上 . S的输出输入信号的高速化 .同样也对印制电路的基板提出了一个更 LI 高要求 .而信号传输高速化技术，正以计算机为先导和模式，迅速地向各种各样数字式的民用电子产品中渗透 .这也使得设计者们在开发这类高速动作的产品时，面临更多新问题 .其 中一个重要问题就是要求 P B在高速信号传输中， C保持信号稳定，不产生误动作，对现在普这通 P B基材技术来说是困难的 .而民用电子产品等所用的多层印制电路板，切需要实现高 C迫频信号传输高速化 .对于这一实际变化，如果我们一直未追随这项新技术发展，那么将会成 为电子工业技术发展中的技术“颈”制约国民经济发展 .瓶， 1低介电高频板的技术性能要求 微波电路基板是由铜箔、树脂及纺织增强材料经热压而制成的覆铜板 CC .广泛应用于 L如曙光一3 0型巨型计算机、大型程控交换机、导弹等高技术尖端 P B技术产品和民用产品 0 C收稿日期：0 1―0 20 3―0 9 作者简介：世伟 (9 9一)男 .金 15 .黑龙江晗尔滨人，工程师 低介电高频覆铜板,半固化片的研制 维普资讯 : K. . () 1 P fa I=K tn 6 () 2 s―――――――――― L一=――――:―――――一 (+÷ )+V I ” c, 3 式中：8为基板材料的介电常数； L 为增强材料的介电常数；s为树脂材料的介电常数；¨ s 低介电高频覆铜板,半固化片的研制 维普资讯 第 2期 金世伟，:介电高频覆铜板及半固化基材研制与开发等低 43 为增强材料的体积百分比；为树脂材料的体积百分比 . 从公式 ( )以看出，个低介电常数的基板材料，与树脂材料、强材料都有着密切关 3可一它增系 .这类基板材料技术发展事实也说明，介电常数基板材料的开发，从两方面人手和发展低是的，即一方面开发低介电常数性的树脂材料，另一方面选择、改进具有低性的纺织增强材料，有效地解决开发高性能低介电高