《集成电路介绍》.pptVIP

集成电路介绍 一、集成电路定义 二、集成电路特点 三、集成电路发展 四、集成电路分类 五、集成电路封装技术 一、集成电路定义 集成电路（Integrated Circuit,简称IC）是20世纪60年代初期发展起来的一种新型半导体器件。把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。 二、集成电路特点 集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作 时间也可大大提高。 三、集成电路发展 1952年5月，英国科学家达默第一次提出了集成电路的设想。 1958年以德克萨斯仪器公司的科学家基尔比为首的研究小组研制出了世界上第一块集成电路 第一块集成电路：TI公司的Kilby12个器件，Ge晶片 获得2000年Nobel物理奖 三、集成电路发展 1959年 美国仙童/飞兆公司（ Fairchilds）的R.Noicy 诺依斯开发出用于IC的Si平面工艺技术，从而推动了IC制造业的大发展。 1959年仙童公司制造的IC 诺伊斯 三、集成电路发展 第一阶段：1962年制造出集成了12个晶体管的小规模集成电路（SSI）芯片。 第二阶段：1966年制造出集成度为100～1000个晶体管的中规模集成电路（MSI）芯片。 第三阶段：1967～1973年，制造出集成度为1000～100 000个晶体管的大规模集成电路（LSI）芯片。 第四阶段：1977年研制出在30mm2的硅晶片上集成了15万个晶体管的超大规模集成电路（VLSI）芯片。 第五阶段：1993年制造出集成了1000万个晶体管的16MB FLASH与256MB DRAM的特大规模集成电路（ULSI）芯片。 第六阶段：1994年制造出集成了1亿个晶体管的1GB DRAM巨大规模集成电路（GSI）芯片。 三、集成电路发展 摩尔定律： 集成电路的集成度每18个 月就翻一番，特征尺寸每3年 缩小1/2。 戈登·摩尔先生 四、集成电路分类 1、按功能结构分类：模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路 2、按制作工艺分类：半导体集成电路和膜集成电路。膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。 3、按导电类型不同分类：双极型集成电路和单极型集成电路，他们都是数字集成电路。 四、集成电路分类 4、按集成度高低分类： SSIC 小规模集成电路(Small Scale Integrated circuits) MSIC 中规模集成电路(Medium Scale Integrated circuits) LSIC 大规模集成电路(Large Scale Integrated circuits) VLSIC 超大规模集成电路(Very Large Scale Integrated circuits) 五、集成电路封装技术 封装技术是一种将集成电路打包的技术。是微电子器件的两个基本组成部分之一： 微电子器件 ： 芯片（管芯）+ 封装（外壳） 五、集成电路封装技术 封装作用： 电功能：传递芯片的电信号 机械化学保护功能：保护芯片与引线 散热功能：散发芯片内产生的热量 防潮 抗辐照 防电磁干扰 五、集成电路封装技术 1．BGA 球栅阵列封装 2．CSP 芯片缩放式封装 3．COB 板上芯片贴装 4．COC 瓷质基板上芯片贴装 5．MCM 多芯片模型贴装 6．LCC 无引线片式载体 7．CFP 陶瓷扁平封装 8．PQFP 塑料四边引线封装 9．SOJ 塑料J形线封装 10．SOP 小外形外壳封装 11．TQFP 扁平簿片方形封装 12．TSOP 微型簿片式封装 13．CBGA 陶瓷焊球阵列封装 14．CPGA 陶瓷针栅阵列封装 15．CQFP 陶瓷四边引线扁平 16．CERDIP 陶瓷熔封双列 17．PBGA 塑料焊球阵列封装 18．SSOP 窄间距小外型塑封 19．WLCSP 晶圆片级芯片规模封装 20．FCOB 板上倒装片 五、集成电路封装技术 1、直插式 2、表面贴装式 3、芯片尺寸封装 4、发展趋势 5.1 直插式 To封装： DIP封装 5.1 直插式 DIP封装特点： (1)适合PCB的穿孔安装，操作方便； (2)比TO型封装易于对PCB布线； (3)芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大； (4)外部引脚容易在芯片的插拔过程当中损坏，不太适用于高可靠性场合； (5)DIP封装还有一个致命