某一半导体材料价带顶附近电子能量可表示为E(k)= -10-36k2(J),资料教程.pptVIP

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2020-06-15 发布于天津
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某一半导体材料价带顶附近电子能量可表示为E(k)= -10-36k2(J),资料教程.ppt

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1. #1-1 2. #1-2 3. #补充题:??某一半导体材料价带顶附近电子能量可表示为E(k)= -10-36k2(J),其中能量零点取在价带顶.此时若k=1×108m-1处电子被激发到导带,而在该处产生一个空穴. 试求此空穴的有效质量;准动量;共有化运动速度和能量.; 习题Ⅱ; 关于回旋共振实验结果的一些说明; 习题Ⅳ; 习题Ⅴ; 习题Ⅵ; 习题Ⅶ; 习题Ⅷ; 习题Ⅸ; 习题Ⅹ; 习题 Ⅺ; 习题Ⅻ;1.施主浓度为7.0×1016cm-3的n型Si与Al形成金属与半导体接触，Al的功函数为4.20eV，Si的电子亲和能为4.05eV，试画出理想情况下金属-半导体接触的能带图并标明半导体表面势的数值。 2.某Shottky二极管，其中半导体中施主浓度为2.5×1016cm-3，势垒高度为0.64eV，加上4V的正向电压时，试求势垒的宽度为多少？ 3. #7-3