第三章课后习题答案(1).pdfVIP

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2020-05-17 发布于湖南
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第三章课后习题答案(1).pdf

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·48 · 第3 章场效应管第3 章习题 3.1 MOSFET 结构及工作原理 3.1 简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V 0V，V V ）， DS GS t 画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。 3.2 MOSFET 特性及建模分析  2 3.2 考虑一个N 沟道增强型MOSFET ，其 = 50μA/V ，，以及W/L = 10。求下列情况下 k V 1V n t 的漏极电流：（1）V = 5V 且V = 1V； GS DS （2 ）V = 2V 且V = 1.2V； GS DS （3 ）V = 0.5V 且V = 0.2V； GS DS （4 ）V = V = 5V。 GS DS 解：（1）根据条件v V ，v  v V ，该场效应管工作在变阻区。 GS t DS  GS t   W  1 2  iD kn vGS Vt vDS  vDS  1.75mA L  2  （2 ）根据条件v V ，v  v V ，该场效应管工作在饱和区。 GS t DS  GS t  1  W 2 i k v V  0.25mA D 2 n L GS t （3 ）根据条件vGS Vt ，该场效应管工作在截止区，iD 0 （4 ）根据条件v V ，v  v V ，该场效应管工作在饱和区 GS t DS  GS t  1  W 2 i k v V  4mA D 2 n L GS t 3.3 N 沟道增强型MOSFET，已知 = 0.8, ′ = 80 ⁄2 , = 10, = 1.2, （1）当 = 0.1, 分别等于0,1V,2V,3V 时，计算该MOSFET 的漏极电流。（2 ）当 = 4 时，计算上述