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·PAGE 78· 模拟电子电路基础 ·PAGE 116· 第4章 双极型晶体管 第4章习题 4.1 晶体三极管的器件结构及工作原理 4.1两种BJT晶体管的名字是什么？描述各自的基本结构图，标示出多数载流子和少数载流子，并画出其电路符号。 解：两种晶体管分别为NPN型和PNP型。N区的多子为自由电子，P区的多子为空穴。 4.2测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为VA=-9V，VB=-6V，VC=-6.2V,试分析 解：由于锗BJT的VBE≈0.2V，硅BJT的VBE≈0.7V，已知BJT的电极B的VB=- 4.3某放大电路中BJT三个电极A、B、C的电流如图题4.1所示，用万用表直流电流挡测得IA=-2mA，IB=-0.04 图题4.1 解：由IA=-2mA，IB=-0.04mA可知，图题中电流IA，IB的方向与其实际方向相反，即IA，IB流入管子为正，而IC流出管子为正，故此B 4.4在晶体管放大电路中，当IB=10μA时，测得IC=1.1mA；当IB=20μA 解：晶体管的电流放大系数为 β= 一般情况下，晶体管的直流和交流电流放大系数基本相等，在此不加区分。 集电极电流为 I 集电结反向电流为 I 4.5在T=25℃时，测得某晶体管的IC=4mA，IB=45μA，ICBO=5μA。若晶体管β 解：T=25℃时的β值为 β T=45℃时，有 I β I 4.6测得某晶体管三给个电极上的电路分别为：I1=3mA，I2=0.06mA，I 解：根据晶体管放大状态下的电流关系 I I 得 I 故 β α= 4.7在NPN型晶体三极管中，发射结加正偏，集电结加反偏。已知IS4.5×10?15A，=0.98，ICBO忽略不计。试求当VBE = 0.65V、0.7V、0.75V时，IE、IC和IB的值，并分析比较。 解： （1） （2） ， （3） ， 以（1）为基准，（2）中VBE增加7.69%，IC增加了638.71% 以（1）为基准，（3）中VBE增加15.38%，IC增加了5358.46% 4.2 晶体三极管的特性及建模分析 4.8某BJT的极限参数ICM=100mA，PCM=150mW，V(BR)CEO 解：BJT工作时，其电压、电流及功耗不得超过其极限值，否则将损坏。当工作电压VCE确定时，应根据PCM及ICM确定工作电流IC，即应满足ICVCE≤PCM，及IC≤ICM，当VCE=10V时，IC 4.9电路如图题4.2所示，设BJT的β=80，VBE=0.6V，ICEO，VCES可忽略不计，试分析当开关S分别接通A、B 图题4.2 解： S与A相连时 I 而 I 故此时BJT工作在饱和区 I S与B相连时 I 有IBIBS，故此时B S与C相连时，BJT的发射结反偏，工作在截至区，IC 4.10硅三极管的β=50，ICBO可以忽略，若接为图题4.3(a)，要求IC=2mA，问RE应为多大？现改接为图题4.3(b)，仍要求I 图题4.3 解： （a） I I I R （b） I R 4.11共发射极电路如图题4.4所示，晶体管β=50，ICBO=4 μA，导通时VBE=-0.2V，问当开关分别接在A、B、C三处时，晶体管处于何种状态？集电极电流 图题4.4 解： 当开关置于A位置时 I I 故工作在放大区，IC 当开关置于B位置时，晶体管工作在截至区，IC 当开关置于C位置时，晶体管工作在饱和区。 4.12电路如图题4.5所示，晶体管导通时VBE=0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、3V三种情况下T 图题4.5 解： （1）当VBB=0V时，T （2）当VBB I I u 所以T处于放大状态。 （3）当VBB I I 所以T处于饱和状态。 4.13电路如图题4.6所示，晶体管的β=50，VBE=0.2V，饱和管压降VCES=0.1V；稳压管的稳定电压VZ=5V，正向导通电压VD 图题4.6 解： 当vI=0V 当vI=-5V 因为 I I V 4.14试分析图题4.7所示各电路对正弦交流信号有无放大作用，并简述理由（设各电容的容抗可忽略）。 图题4.7 解： 图a无放大作用。一方面VCC使发射结所加反偏电压太高，管子易于击穿；另一方面因Rb=0 图b电路偏置正常，且交流信号能够传输，有交流放大作用。 图c无交流放大作用，因电容Cb 图d无交流放大作用，因电源VCC 4.15设PNP型硅BJT的电路如图题4.8所示。问vB在什么变化范围内，使T工作在放大区？令β 图题4.8 解：从不进入饱和区角度考虑，应有vEC v v 则应有iC 又vE=VEE- 则应有vE 从不进入截止区的角度考虑，应满足vEB=0.7V，即vB=(vE 4.16电路如图题4.9（a）所示，已知BJT的β=100