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2019-09-23 发布于湖北
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微电子技术综合实践.ppt

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微电子技术综合实践答辩主讲人：第四组成员名单：苏楠苏楠韩爽胡丹丹一、设计要求 1、设计任务：P阱CMOS芯片制作工艺设计 2、特性指标要求： n沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压，漏极饱和电流，漏源饱和电压，漏源击穿电压，栅源击穿电压，跨导，截止频率（迁移率） p沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压，漏极饱和电流，漏源饱和电压，漏源击穿电压，栅源击穿电压跨导，截止频率，（迁移率）二、设计内容 1、MOS管的器件特性参数设计计算； 2、p阱CMOS芯片制作的工艺实施方案（包括工艺流程、方法、条件、结果；分析光刻工艺，画出整套光刻版图）； 3、薄膜加工工艺参数计算：分析、设计实现场氧化，栅氧化，多晶硅栅层或掩蔽氧化膜等工艺方法和工艺条件，进行结深或掩蔽有效性验证。选做了4、掺杂工艺参数计算：分析设计实现P阱、PMOS、PMOS源漏区掺杂工艺方法和工艺条件。三、计算过程 1、NMOS管参数计算由得，由得，由，及N+多晶硅的估算得，由经验公式得出，由于衬底掺杂浓度为，不能满足要求，故需要外延一层掺杂浓度为的外延层。由，得及得取 , , 。， 2、PMOS管参数计算由得，由得