JGP-560b型高真空磁控溅射系统操作规程.docVIP

JGP-560b型高真空磁控溅射系统操作规程.doc

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JGP-560b型高真空磁控溅射系统操作规程 一.开机前准备工作 准备好溅射用的靶材、基片,开通循环冷却水,确保水量足够。开控制柜总电源(左)→开V2→升腔体→关V2→装靶(留一圈起辉),装样品托→检查样品转动,挡板控制等程序→关腔体 二.抽真空 开机械泵,开旁抽气阀V1, 溅射室开始抽真空。 打开左侧控制柜上真空计电源,开真空计,待真空计显示低于10Pa时,关闭V1,开电磁阀DF。 打开分子泵(必须保证腔室10Pa且V1关闭时方可开启分子泵),旋开G档板阀,先慢后快,抽真空至所需真空度。 注:如果腔体已经抽至低真空,需跳过开关V1的步骤,依次开机械泵、电磁阀DF、分子泵和G阀。 三.溅射 溅射实验前,先把真空计由“自动”调至“手动”,旋开阀V4,抽混气室。 到所需真空度后,打开氩气瓶,先开大阀(直通瓶体),后开小阀,调流量至20L/min左右,大于大气压。 开控制柜流量计电源,调节流量计MFC1至所需值,开V7,并关小G档板阀至所需工作气压。 打开右侧控制柜总电源,打开相应靶输入功率电源,直流靶(A、B、D靶),由小到大调节输入功率,待起辉后,调至所需功率。 打开左侧靶挡板控制电源、转盘电机和挡板电机,打开电脑程序,设定时间和样品位置后正式溅射。 射频靶(C靶),则需预热10分钟以上,再启动。高气压、调节电压至700V左右起辉后,匹配器量程选择所需档位,调节匹配器C1, C2, 使入射最大,反射最小,再调至所需工作气压和功率(从匹配器上读取入射功率)。 若样品需要加热,可在到达所需真空度后,打开加热电源,设定加热温度,100℃以下低于2A,后随温度的变化可适当增大电流。再到步骤3.1 四.停机 将输入功率调至零,关闭直流(射频)电源。关闭靶控制电源,将MFC1调至零,关闭V4,V7,关闭氩气瓶,先关小阀,后关总阀。 如果使用了加热电源,必须将电流调零,将G阀调大,待其冷却到100℃以下才可关机。 关闭G阀,停止分子泵,待频率降至为“100”以下时方可关闭分子泵,再关闭电磁阀、机械泵。 五.取样 旋开V2, 通气进真空室,必须待其内外气压相等时,关闭V2。用升降机小心开真空室。取样,后降下封盖,密封。抽至一定真空(开机械泵→开V1和真空计→抽至10Pa以下→关V1和真空计→关机械泵)。 六.注意事项 使用加热样品托温度80℃时,必须取下样品托上小磁块,以免被退磁。 直流、射频电源连续溅射时间不得超过3个小时,长时间溅射需中途暂停。 换拔线时,必须关闭电源。 溅射完成后,各功率、电流、电压必须调至最小值。 实验完后溅射腔室必须用机抽至真空状态,长时间不实验时应抽至高真空。 每次做完必须对腔体进行清理。 加热、溅射电源等出现异常时,不要盲目继续调大,以免损坏仪器,应将其降至最小值后及时与设备管理人联系。

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