GB/T 8750-2014半导体封装用键合金丝.pdf

ICS 77.150.99 H 68 GB 中华人民共和国国彖标准 GB/T 8750—2014 代舂 GB/T 8750—2007 半导体封装用键合金丝 Gold bonding wire for semiconductor package 2014-07-24 发布 2015-02-01 实施 GB/T 8750—2014 目 次 前言 m i范围 1 2规范性引用文件 1 3 要求 1 4 试验方法 5 5 检验规则 5 6标志、包装、运输和贮存 6 7 合同 （或订货单）内容 8 附录A （资料性附录 ）金丝弧高测试方法 9 附录B （资料性附录 ）金丝表面质量检验方法和典型缺陷 10 附录C （规范性附录 ）金丝线轴规定 13 附录D （规范性附录 ）金丝长度测量方法 15 附录E （规范性附录 ）金丝卷曲及轴向扭曲检验方法 16 附录F （规范性附录 ）金丝放丝性能检测方法 20 T GB/T 8750—2014 ■ i r ■ ■ i 刖 吕 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T 8750—2007 《半导体器件键合用金丝》。 本标准与原标准相比 ，主要有如下变化： 标准名称更改为