第10章半导体器件三极管.pptVIP

半导体的导电特性 一 P型半导体和N型半导体 P型半导体：本征半导体硅中加入微量的3价元素（硼、镓、铟） N型半导体：在本征半导体中加入微量的5价元素（磷） 二 PN结的形成 四 二极管的结构 把一个PN结的两端接上电极引线，外面用金属（或玻璃、塑料等）管壳封闭起来，便构成了二极管，其结构示意图和图形符号如图所示。 10 二极管 10.3.1 基本结构 10.3.2 伏安特性 10.3.4 主要参数 二极管电路分析举例 稳压二极管 除此之外，还有开关二极管检波二极管整流二极管 3. 主要参数 各种各样的二极管 二 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各极电流关系及电流放大作用 三　特性曲线工作状态 输出特性 14.5.4 主要参数 1.直流电流放大系数 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 * * 第10章 常用半导体器件 返回 半导体：导电能力介乎于导体和绝缘体之 间的 物质。 半导体的导电特性：热敏特性 光敏特性 掺杂特性 半导体的导电特性： (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 掺杂特性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力显著增强(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。 光敏特性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 热敏特性：当环境温度升高时，导电能力增强 三 PN结的特性——单向导电性 PN结具有单向导电性 （1） PN结加正向电压时，处在导通状态， 结电阻很低，正向电流较大。 （2）PN结加反向电压时，处在截止状态， 结电阻很高，反向电流很小。 返回 阴极引线 阳极引线 二氧化硅保护层 P 型硅 N 型硅 ( c ) 平面型 触丝 阳极引线 N 型锗片 阴极引线 外壳 ( a ) 点接触型 铝合金小球 N 型硅 阳极引线 PN 结 金锑合金 底座 阴极引线 ( b ) 面接触型 半导体二极管的结构和符号 二极管 二极管的结构示意图 阴极 阳极 ( d ) 符号 D (a) 点接触型 (b)面接触型 结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。 结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。 (c) 平面型 用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 硅管0.5V, 锗管0.1V。 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 特点：非线性 硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V U I 死区电压 P N + – P N – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向工作峰值电压URWM 是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 3. 反向峰值电流IRM 指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。 定性分析：判断二极管的工作状态 导通截止 否则，正向管压降 硅0.6~0.7V锗0.2~0.3V 分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通 若 V阳 V阴或 UD为负( 反向偏置 )，二极管截止 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。 1. 符号 ? UZ 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 UZ IZ IZM ? IZ 2. 伏安特性 _ + U I O 一种特殊的面接触型半导体硅二极管。它在电路中与适当数值的电阻相配合能起稳定电压的作用。 (1) 稳定电压UZ