等离子体及其应用介绍-镀膜.ppt

等离子体及其应用介绍;目录;(一)等离子体简介;一. 什么是等离子体;1. 物质第四态;;3.带电粒子在电磁场中的运动;宪遏嘛术觅惺滑并素目峨焙颐筐弥脂毛赔摹脖成雅卧受藉悠魏毗润蔼令厉等离子体及其应用介绍-镀膜等离子体及其应用介绍-镀膜;正离子和电子组成的 电中性的流体 当空间尺度德拜半径 就不能称为等离子体 例如:电子束/离子束 就不能称为等离子体;;6. 等离子体鞘层;高压鞘层;7. 等离子体的整体特性;二. 等离子体学科;三. 实验室等离子体;四. 高温等离子体;高温等离子体研究的主要目标;聚变电站示意图;五. 低温等离子体;1. 热等离子体及其应用;开关电源焊接机； 漏抗式电源空气等离子体切割机； 大功率可控硅电源空气等离子体切割机； 开关电源空气等离子体切割机； 还可开发切割非金属材料的切割机。 开关电源有广泛的推广应用前景。;B. 等离子体??涂和表面改性;C. 等离子体合成与分解;E. 等离子体炬燃烧废物;;A. 大气压放电等离子体;大气压放电等离子体的应用;a. 等离子体光源和显示 b. 等离子体表面处理 c. 等离子体刻蚀加工 d. 等离子体离子源 e. 等离子体制备薄膜材料;a. 等离子体光源和显示;b. 等离子体表面处理;D. 等离子体离子源;E. 等离子体制备薄膜材料;研究等离子体的主要单位;（二）真空镀膜方法和设备;一、传统真空镀膜的方法和设备; 二、离子镀膜与等离子体增强镀膜;离子参与镀膜的重要性;离子束具有方向性能量由加速电压决定。;离子与表面相互作用;离子参与镀膜创造的条件和结果;离子镀膜;等离子体增强镀膜;合用的等离子体源分析;三、离子束增强镀膜;离子束源的基本概念;合用的离子束源分析;（三）等离子体镀膜技术的发展;一、等离子体镀膜技术的发展历程;单片式：半导体和微电子工业 旋转式：光学薄膜工业;悬挂式：装饰和机械工业卷绕式：电器和包装工业;多室连续式：显示薄膜工业，大批量;三、非平衡磁控溅射技术;平衡和非平衡磁控器是通常应用的术语 平衡的术语一般地应用与传统的磁控器 非平衡磁控器被应用来描叙： 在沉积薄膜的同时也能够对薄膜表面产生离子轰击。;Source: B. Window and N. Savvides, J. Vac. Sci. Technol. A 4(2), 196 (1986).;Bz = Zero (Null Point);当电子离开靶运动时， 电子被冷却和损失能量。 好的磁捕获可使 电子的能量损失得更多。;;D. 非平衡的优点;VT150 middle balanced position Bz=0 @ 111mm;;;四、等离子体增强蒸发镀技术;新的挑战;薄膜沉积对离子源的要求;实现等离子增强的工艺方法;2、等离子体增强沉积技术;1. 热阴极等离子体源的优点; LaB6阴极的缺点;2. Hall等离子体源;磁体层等离子源Magnet layer sources ;阳极层离子源Anode layer source;电子在电磁场中的运动示意图 ;Hall离子源的工作原理 ;Hall离子源的设计 ;外阴极;宜瞅未胞微汽填麻每厢触重更适俯俺新盆旬宰些鳞赡罩阶锅舀鸯眯伸浦袜等离子体及其应用介绍-镀膜等离子体及其应用介绍-镀膜;参 数 ;Hall离子源的应用 ;四、离子束增强沉积技术;1、离子束预清洗Ion-beam cleaning, IBC ;2、离子束刻蚀Ion-beam etching, IBE ;3、离子束沉积Ion-beam deposition, IBD ;4、离子束溅射沉积Ion-beam sputter deposition,IBSD ;5、离子束辅助沉积Ion-beam assisted deposition, IBAD ;6、大面积基片的应用 ;卷绕式;前言 射频ICP和TCP的原理 结构和参数 射频匹配网络 ICP和TCP离子束源 实验及分析;前 言;应用等离子体参数的比较;ICP源和TCP源;射频ICP和TCP的截面图;ICP的原理图 ;射频ICP的原理概述;射频ICP离子源的结构和参数;射频匹配网络的必要性 ;ICP离子源气体放电 ;ICP和TCP离子束技术;离子束源的分类;离子束的引出;如前所述： 等离子源技术的发展是离子束技术发展的基础。;提高离子束的引出性能;离子束的品质因素;离子束的中和 ;ICP离子束的研究;射频ICP源的设计参数;离子束流与引出栅电压的关系 ;引出离子束流与输入射频功率的关系 ;引出离子束流与工作气压的关系 ;长方型结构TCP离子束源 ;腾惕帛体蛤民夺拜阿稻饱摸且稠娇惧门舰赋胁儿服助型吱渺汛催翠兑馋眶等离子体及其应用介绍-镀膜等离子体及其应用介绍-镀膜;六、微波等离子体及其在薄膜材料研究中