非晶InGaZnO薄膜成分配比对透明性和迁移率的影响-强激光与粒子束.PDFVIP

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2019-05-25 发布于天津
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非晶InGaZnO薄膜成分配比对透明性和迁移率的影响-强激光与粒子束.PDF

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第卷第期强激光与粒子束 , 26 12 Vol.26 No.12 年月 , 2014 12 HIGH POWERLASERANDPARTICLEBEAMS Dec. 2014 非晶InGaZnO薄膜成分配比对透明性和迁移率的影响* , , , 苏雪琼王丽甘渝林李宬汉 ( , ) 北京工业大学应用数理学院北京 100124 : , 摘要利用固相反应法制备了富铟含量在不同成分配比下的高质量陶瓷靶材采用脉冲激 InGaZnO , 、 , , 光沉积法在基片温度为20℃ 氧压为1Pa条件下在石英玻璃衬底上生长了非晶InGaZnO薄膜并对薄膜进、、。 , 行射线衍射透射吸收光谱拉曼光谱与霍尔效应测试通过对薄膜的测试表征在较低温度条件 X InGaZnO , 、 , 下铟含量较高的薄膜样品保持了非晶结构可见光的高透明性和高电子迁移率 InGaZnO薄膜有望应用于电子器件。 : ; ; ; ; 关键词透明氧化物半导体非晶薄膜脉冲激光沉积透明性电子迁移率 IGZO 中图分类号: 文献标志码: : / O427 A doi10.11884HPLPB201426.121007 [] 自年日本东京理工学院研究组成功报道制备非晶透明氧化物半导体材料 ( )薄膜 1 2004 InGaZnO IGZO , 。、以后透明非晶氧化物半导体材料 IGZO成为柔性显示技术研究的焦点该材料在可见光区具有高透射率电、、 , , 学性能的高迁移率