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第4章 半导体分立器件  4.1 概述 4.2 半导体分立器件命名  4.2.1 中国半导体分立器件命名 表4-4日本半导体分立器件型号命名方法 表4-6 美国半导体分立器件型号命名法 4.3 半导体二极管 （1）点接触型二极管 （2）面接触型二极管 （3）硅平面开关管 2．PN结的工作原理 4.3.2 二极管的主要参数 2．最大整流电流 4．工作频率 7．交流电阻 9．势垒电容 二极管的用途 1.整流 2. 检波 3. 限幅（利用正向） 4. 阻尼与续流作用 4.3.3 特种半导体二极管 1．稳压二极管 （3）稳压二极管的主要参数 （4）稳压二极管的应用 （4）稳压二极管的应用 (5)典型稳压二极管的主要参数 *2．恒流二极管 （2）恒流二极管的伏安特性 （3）恒流二极管的主要参数 （4）恒流二极管的应用 b．恒流二极管用于波形变换 3．变容二极管 （3）变容二极管的主要参数 b.品质因数Q （4）变容二极管的应用 5.其它二极管 4.3.4 全桥、半桥和硅堆 （2）引脚排列规律 2．半桥组件 3．硅堆 4.3.5 二极管极性的识别测量 2．根据正反电阻识别 3．结构识别根据 二、普通二极管的测量 （1）好坏的判断 （2）硅管和锗管的判断 3．稳压二极管的测量 （2）三个管脚稳压二极管的测量 4．全桥堆的测量 5.其它二极管的测量（略） *4.4 晶体三极管 4.4.3三极管管脚的识别与测量 2．利用万用表进行识别 4.4.5三极管的代换 4.5 场效应管 4.5.1 场效应管的特点分类 2．场效应管的分类 3．场效应管的电路符号 4.5.2场效应管的主要参数 2.交流参数 4.5.3场效应管管脚的识别 4.5.4场效应管的质量判别 4.5.5场效应管的使用注意事项 4.5.6场效应管的代换 4.6 晶闸管 4.6.1 晶闸管的构成 4.6.2晶闸管的工作原理 4.6.3 晶闸管的分类 1．双向晶闸管 其它晶闸管 （1）单向可控硅 五、 可控硅应用 4.7 单 结 管 4.7.1 单结晶体管的结构 4.7.2单结晶体管的特性 4.7.3单结晶体管的主要参数 4.7.4单结晶体管各管脚的判别方法 (2)最大栅源电压U(BR)GS 对于结型场效应管是指栅极与沟道间PN结的方向击穿电压，对于绝缘栅型场效应管是指使绝缘层击穿的电压。 (3)最大耗散功率PCM 耗散功率PD=UDSID，而PDM受场效应管最高工作温度和散热条件的限制。其意义与双极型晶体管的最大集电极功耗PCM的意义相同。 此外，还有低频噪声系数、最高工作频率等有关参数。 1.用万用表检测结型场效应管的电极 将万用表置于R×1kΩ档，用黑表笔与结型场效应管的一个电极相连，在用红表笔依次接触另外的两个电极。若两次测出的电阻值都很小（几百欧到1kΩ）,说明测得都是正向电阻（正向压降是0.6V左右），被测管是N沟道场效应管，此时黑表笔所接为栅极。如两次所测阻值都较大，说明均为反向电阻，则被测管是P沟道场效应管黑表笔所接仍是栅极。源极和漏极在结构上是对称的，一般用电阻档很难区分，在大多情况下即使将二者接反，结型场效应管仍能正常工作，只是放大能力略有下降。 2.用万用表检测MOS场效应管的电极 将万用表置于R×1kΩ档，用两表笔与任意两脚相接，如果有一个管脚与其它两脚之间的电阻值都是无穷大，则表明该极为栅极G。然后再用两表笔去测量另外两引脚的电阻，阻值较小的一次测量中，红表笔接的是D极，黑表笔接的是S极。 3.用万用表检测VMOS场效应管的电极 将万用表置于R×1kΩ档，用两表笔与任意两脚相接，若找到某脚与其它两脚的电阻为无穷大，且将表笔互换后仍为无穷大，则该脚为G极。然后再用两表笔去测量另外两引脚的电阻，阻值较小的一次测量中，红表笔接的是D极，黑表笔接的是S极。 1.用万用表区分结型和MOS场效应管 用R×1kΩ档或R×100Ω档，测G-S之间的阻值，如阻值很大，则为MOS管；如与PN结的正、反向阻值相近，则为结型场效应管。 2.用万用表检测结型场效应管的质量 检测时，可按照一般二极管的测量方法，分别检测栅极－漏极、栅极－源极之间的两个PN结看是否正常。若反向电阻很小，说明管子已坏。 3.估测结型场效应管的放大能力 以N沟通道为例，将万用表置于R×1kΩ档,红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，观察D-