C39计算机、通信和其他电.PDF

基本情况 表1 项目名称 聚力成氮化镓外延片产业化和芯片产线项目(一期) 建设单位 聚力成半导体(重庆)有限公司 法人代表 叶顺闵 联系人 李欣霖 联系电话 邮政编码 402368 通讯地址 重庆市大足区万古镇高新科技园区 建设地点 重庆市大足区万古镇高新科技园区 立项审批部门 大足区发展和改革委员会 批准文号 2018-500111-39-03-048214 C39 计算机、通信和其他电 建设性质 ■新建 □改扩建 □技改 行业类别 子设备制造业 总投资 50000 万元 环保投资 500 万元 投资比例 1% 2 2 占地面积 60358m 建筑面积 10636.6m 评价经费 万元 煤 /万吨 年能耗情况 电 310 万KW.h 油 / 吨 天燃气 120 万立方米 分类 年用水量 年新鲜用水量 年重复用水量 用水情况 生产用水 12.3863 12.3863 457.07 （万吨） 生活用水 0.4147 0.4147 0 合 计 12.801 12.801 457.07 一、工程内容及规模 1.1 项目由来 随着近几年能源消耗的急剧增长，进一步节能降耗成为半导体功率器件的首要目 标。同时，市场上出现的新兴需求（如更大功率，更高工作温度，用户体验优化等）需 要通过对现有产品的更新换代来满足。在此情况下，由于器件本身性能的优势，具有更 出色器件性能的氮化镓（第三代半导体）功率器件应运而生。作为继第一代半导体硅（现 代电子信息产业变革）和第二代半导体砷化镓（无线通信）之后的第三代半导体器件代 表，氮化镓具有独特的特性：宽禁带，耐高温，高导热性，高电子浓度，高电子迁移率， 以及高功率密度等。因此，氮化镓在功率器件领域亦拥有更加出色和卓越的性能，以符 合技术革新和市场对产品更新换代的需求。 1 续表1 聚力成半导体有限公司是一家采用业界先进的三五族半导体工艺，专注整合设计与 制造（IDM ）商业模式的研发及生产制造商。聚力成半导体的核心技术为硅基氮化镓 （GaN on Si ）外延片的研发和生产，企业的半导体技术可用于第三代半导体大功率器件、 高端射频器件。 基于集成电路行业发展趋势，聚力成半导体(重庆)有限公司拟总投资16 亿元在重庆 市大足区高新技术产业开发区进行分期建设，